泡泡网SSD固态硬盘频道8月11日在前几天的FMS全球闪存会议上，HGST除了发布2.7GB/s性能的PCI-E 3.0接口的FlashMAX III硬盘之外，还宣布了世界上最快的SSD，使用的虽然是PCI-E 2.0 x4接口，但是随机IOPS性能高达300万IOPS，而延迟更是低至1.5微秒，已经远远超过了普通的NAND闪存的SSD性能，因为HGST这次使用的是45nm工艺的PCM相变闪存。

　　先来说说HGST的这个硬盘性能到底有多强大，首先是300万IOPS，目前主流的桌面SSD的随机性能普通在10万IOPS以内，PCI-E接口的可以达到十几万到几十万IOPS，比如Intel的750系列SSD就可以达到18万IOPS，企业级的PCI-E硬盘则能达到五六十万甚至更多，此前见诸报道的IOPS性能最高的SSD是源科的麒麟III PCI-E硬盘，512B数据随机性能最高也是300万IOPS。

　　300万随机IOPS性能其实并不是HGST最自豪的地方，1.5微秒（us）的延迟时间才是更关键的，普通SSD的延迟多在30-40微秒或更高，SLC规格的企业级PCI-E硬盘通常也要10微秒多，这还是随机写入的，随机读取延迟则要更高了，而HGST的硬盘只要1.5微秒，这在今天的NAND闪存技术上是不可能实现的。

　　HGST依靠的就新一代的PCM相变存储技术，对于PCM相变技术我们之前也介绍过一些，PCM不仅性能更快，而且写入次数限制也堪比SLC，是未来最有竞争力的存储技术标准之一，IBM、三星、美光、Intel等公司都在开发PCM技术。

　　此外，为了降低延迟，HGST还与加州大学圣地亚哥分校联合开发了DC Express通讯协议。

　　HGST之前的媒体新闻中没有提供图片，不过PCper网站在FMS闪存会议上拍到了这个硬盘的实物图，它使用的是PCI-E 2.0 x4接口，目前的原型是全高尺寸，每个PCM模块容量是1Gb，45nm工艺制造。原文没有说PCM来自哪家公司，不过美光之前公告说已经开始出货45nm工艺的1Gb PCM闪存，HGST十有八九使用的是美光的PCM颗粒。

　　目前实测的IOPS性能不过70万左右，不过这是QD-1队列下的，高队列下IOPS性能还会提升■